Strona główna

Nagroda Fundacji „Promilitaria XXI” za polski tranzystor mikrofalowy PolHEM

 

W Instytucie  Technologii Elektronowej, w obecności prof. dr hab. inż. Anny Piotrowskiej, dyrektora ITE odbyła się uroczystość wręczenia statuetki Fundacji „Promilitaria XXI” za najbardziej rokujące  innowacyjne rozwiązanie w dziedzinie bezpieczeństwa i obronności. 

Jednym z trzech laureatów tego wyróżnienia był „Polski tranzystor mikrofalowy PolHEMT AlGaN/GaN dla radiolokacji. To była pierwsza edycja tego konkursu. Rada Fundacji kierowała się trzema kryteriami: nowatorskim pomysłem na światowym poziomie, potrzebami obronności i bezpieczeństwa oraz potencjalnymi korzyściami  dla gospodarki z wdrożenia projektu w kraju. Ocenie podlegało 50 nowatorskich, opisanych w IV wydaniu Katalogu innowacyjnych rozwiązań dla bezpieczeństwa i obronności na 2016 r.  Instytut Technologii Elektronowej stał na czele konsorcjum  składającego się z wiodących w tej dziedzinie polskich ośrodków naukowych: Instytutu Technologii Elektronowej (lider), Instytutu Radioelektroniki i Technik Multimedialnych Politechniki Warszawskiej, Instytutu Wysokich Ciśnień PAN i Instytutu Fizyki PAN, oraz firm rozwijających w kraju technologie azotkowe (Ammono S.A. i Top-GAN, Sp.z o.o.). 

Celem tego projektu, które uzyskało w 2012 r. dofinansowanie z Narodowego Centrum Badań i Rozwoju w wysokości ok. 7,4 mln zł było opracowanie technologii i wykonanie demonstratora polskiego tranzystora mikrofalowego PolHEMT AlGaN/GaN o mocy wyjściowej 10W dla potrzeb krajowego przemysłu radiolokacyjnego. W rezultacie połączenia wysiłków krajowych instytutów i firm opracowano w pełni krajową azotkową technologię umożliwiająca produkcję tranzystorów porównywalnych pod względem jakości podłoży i parametrów przyrządów do produktów nielicznych zagranicznych firm.  Nowatorski w skali światowej projekt został także wyróżniony w II edycji konkursu „Innowacje dla Sił Zbrojnych” za 2015 r.

Projekt  PolHEMT zakończył się pod koniec kwietnia br. Uzyskano piąty poziom zaawansowania technologicznego (TRL). Ich kontynuowanie wymaga dalszych badań i dofinansowania.  -Obecnie poszukiwane są źródła finansowania umożliwiające podwyższenie TRL.   Szkoda byłoby zmarnować potencjał specjalistów z różnych dziedzin – podkreśla prof. Anna Piotrowska, dyrektor ITE. 

Polskie mikrofalowe tranzystory AlGaN/GaN HEMT mogą być wykorzystane m.in. przy produkcji w kraju nowoczesnych programowalnych radarów z aktywną anteną typu AESA (Active Electronically Scanned Array), niezbędnych przy realizacji m.in. programów obrony powietrznej krótkiego i  średniego zasięgu  „Narew  „Wisła” . 

Statuetkę wręczył prezes Fundacji  Ryszard Choroszy.  W uroczystości uczestniczyli także pracownicy Instytutu Technologii Elektronowej, którzy przyczynili się do sukcesu projektu: dr hab. inż. Eliana Kamińska, profesor nadzw., kierownik Zakładu Mikro i Nanotechnologii Półprzewodników Szerokoprzerwowych,  dr Michał Borysiewicz, Adiunkt, mgr inż. Marek Ekielski, ssystent mgr inż. Jakub Kaczmarski, inżynier i mgr inż. Andrzej Taube, specjalista inżynieryjno-techniczny. 

Zdjęcie: ITE